Как да тествате FET с мултицет, проверка на MOSFET

Малко за дизайна

Транзисторът за полеви ефекти се състои от следните елементи:

1. n-канал, който има силициев субстрат с р-проводимост;
2. n-участъци, които се получават чрез добавяне на примеси към субстрата;
3. изолиране на порта от диелектричния канал.

Връзките са свързани с n-регионите. Текущи потоци от източника до потока от транзистора поради захранването. Степента на тока се контролира от изолирана порта на транзистора.

При работа с транзисторен компонент е необходимо да се вземе предвид неговата чувствителност на въздействието на електрическо поле. Дръжте тези предмети с къси съединения с фолио, а преди запояване, ще е необходимо съкращаване на жицата. Запояването на транзисторни елементи се осъществява с помощта на станция за запояване, осигуряваща защита от статично електричество.

Преди да вземете решение как да тествате MOSFET с мултиметър, трябва да определите неговия pinout. На внесеното устройство има етикети, съответстващи на заключенията на транзистора. В този случай буквата G обозначава портата на устройството, S е източникът и означението D е изтичането.

Проверка на транзистора с мултицет

За да проверите транзистора на полевия ефект с мултицет без изпаряване, трябва да запомните, че в съвременните транзистори като MOSFET има диод между дренажа и източника. Обикновено този елемент се намира на устройството и неговата полярност зависи от вида на транзистора.

Процедура за проверка на транзисторния елемент:

• Проверете самата работа на устройството. Необходимо е да се уверите, че работата е неубедителна;
• Извадете статичното електричество от транзисторния елемент;
• Прехвърлете мултицетъра в режим на проверка на диод;
• Черен проводник се свързва с отрицателен и червен с положителен;
• Червеното доведе до източника, черно до източването на устройството. С работен елемент, напрежението при прехода ще бъде 0.5-0.7 волта;
• Когато свързвате червения проводник към изтичащия отвор, а черният към източника, мултиметърът ще покаже устройството (ако компонентът е натиснат);
• Отварянето на транзисторния елемент се извършва чрез свързване на черния проводник към източника и червен към портата;
• Напрежението на обслужващото устройство ще бъде от 0 до 800 миливолта;
• Промяната на полярността на сондите не трябва да води до промени в показанията, в противен случай елементът на полето ще бъде дефектен;
• Накрая свържете червения проводник към източника, черен към затвора. Транзисторният компонент ще се затвори;
• Транзисторният елемент от този тип ще се върне в първоначалното си състояние, имайки същите показания, както в предходните параграфи.

Въз основа на измерванията може да се заключи, че ако устройството се отваря и затваря с помощта на постоянно напрежение, идващи от електромера, той е напълно функционален и ще бъде необходимо евентуалното му подмяна.

Елементът има също голям входящ капацитет, който се зарежда дълго време. Това се използва при тестване на устройството, когато то се отвори за първи път през напрежението на мултицет, и тогава, докато входният капацитет се освободи напълно, се правят допълнителни измервания.

P-канална поддръжка

Елементът p-канал се тества по същия начин, както за типа n-канал. Разликата е, че червеният проводник трябва да бъде свързан към минус на мултицет и черен проводник трябва да бъде свързан към плюс на устройството.

По този начин могат да се направят следните изводи относно компонентите на транзистор с полеви ефекти и процедурите за проверка:

• Полевите елементи на сорта MOSFET се използват широко в областта на радио-електрониката, инженерните и други области, свързани с практическата електроника;
• Проверката на оперативността на транзисторните елементи е най-удобна и качествена, като се използва мултицет, когато се следва определена стъпка по стъпка;
• Панелните и n-каналните транзисторни компоненти се проверяват по същите методи, но е необходимо променете полярността свържете кабелите на мултицет към задната част.

Транзисторните компоненти с полеви ефекти са много популярни в различни технически и електронни устройства. Но за висококачествена и трайна работа е необходима периодична проверка на транзисторните MOSFETs, използвайки мултиметър. Следвайки всички горепосочени методи, можете да спестите значителни финансови разходи, свързани с подмяната и ремонта на транзистори с полеви ефекти.